Условные обозначения

0
А,Механический эквивалент светаКПостоянная Больцмана
ВСииий светК,Коэффициент передачи по току
ССкорость света в свободном простран­КуКоэффициент световой эффективности
 Стве Коэффициент усиления лазера
СяЕмкость диодаККоэффициент потерь излучения
А,Коэффициент диффузии электронов В резонаторе лазера
°рКоэффициент диффузии дырокАфИмпульс фотона
</Толщина диэлектрика Яркость светящейся поверхности
ЕЭнергия, освещенность поверхности, Длина когерентности
 Вектор напряженности^лазДлина лазерного излучения
£фОТЭнергия фотонаИ-Энергетическая яркость
■^фоиЭнергия фонона Яркость
£зЭнергетическая ширина запрещеннойМСветимость излучающей поверхности
 ЗоныМфМасса фотона
ЕвЭнергия дна зоны проводимостиМеЭнергетическая светимость
 Свободного электронаППоказатель преломления
Е.Энергия потолка валентной зоныN.Число Авогадро
Е^■вынЭнергия вынуждающего излученияРМощность
ЕеОблученность поверхностиР. ыхВыделяемая мощность
Е,Энергия накачкиР1 ПОГППоглощаемая мощность
£фЭнергия ФермиР1 предПредельная мощность
ЕюМодуль ЮнгаР»Импульс электрона
ЕКоэффициент теплового шумаЛолМощность излучения
Е{1)Функция видностиЛтнМощность генерируемая внутри
/Частота Кристалла
/грГраничная частотаРхМощность излучения для длины
СЗеленый свет Волны X
//,Энергетическая экспозицияП„Плотность энергии электромагнитного
//сСветовая экспозиция Поля
ФеПоток излученияЕДобротность
ФvСветовой потокИКоэффициент отражения
ИПостоянная ПланкаЯ»Сопротивление диода
I.Сила излученияГЛДинамический резистор
/*Ток насыщеня транзистораРогрОграничивающее сопротивление СИД
/„Электронная составляющая токаРпСопротивление потерь
Дырочная составляющая тока Последовательный резистор
‘дифДиффузионный токРіс.Темновое сопротивление
Ток насыщенияЯКрасный свет, коэффициент отражения
Обратный ток при насыщенииБПлощадь поверхности
‘обрОбратный ток/Время
*ПОВТок утечки по поверхности^дифВремя диффузии
*прПрямой ток‘иДлительность импульса
*пр тахМаксимально допустимый прямой ток через светодиодР*тшхМаксимально допустимая температура корпуса светодиода
*рекТок рекомбинацииТвТемпература перехода
/’сСигнальный токИжНапряжение контактной разности
‘сдТок через светодиод Потенциалов
Ток теплового шумаИ„Напряжение источника питания
Т. Г.Ток термогенерацииИпрНапряжение прямого смещения
*тунТок туннельный^обрНапряжение обратного смещения
Шумовой ток^обрпихМаксимально допустимое обратное
‘VСила света Напряжение светодиода

С4брип. ах максимально допустимое импульсное

 Обратное напряжение светодиода
С4дНапряжение световода
КГрупповая скорость
КОбъем когерентности
*Скорость дрейфа дырок
 В электрическом поле
УфФазовая скорость
ТОтносительная функция внаности
А/Полоса рабочих частот
О/Коэффициент поглощения,
 Коэффициент затухания света
РКоэффициент, учитывающий потери
XТолщина слоя
ЄДиэлектрическая проницаемость
 Диэлектрика
ПВнешний квантовый выход
*1оптКоэффициент вывода света
11,Внутренний квантовый выход
XДлина волны
^•шахМаксимальное спектральное
 Распределение светодиода
ММагнитная проницаемость диэлектрика
МрПодвижность дырок
VЧастота оптического излучения
Центральная частота излучения
Т. мВнутримодовая дисперсия
ТкВремя когерентности
*^мдМатериальная дисперсия
ТммМежмодовая дисперсия
ТрВремя релаксации
ТфВремя излучения фотона
ЪВремя жизни на уровне у
0Угол излучения;
 Характеристическая температура Дэбая
ЄрРасходимость излучения
ПТелесный угол
0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
0
Оставьте комментарий! Напишите, что думаете по поводу статьи.x