Для лучшего понимания состояния рынка современных микросхем памяти следует ознакомиться с основной общепринятой терминологией в этой области:

RAM (Random Access Memory) — оперативная память с произвольным доступом;

ROM (Read Only Memory) — постоянная память;

NVM (Non-Volatile Memory) — обычно термин используется для обозначения семейства ROM, в которое входят ROM, OTP, EPROM, EEPROM, Flash, NV-RAM;

Flash (Flash RAM, FRAM) — особый тип памяти, допускающей операции чтения и записи при рабочих напряжениях (обычно 5 В, для более ранних микросхем запись при 12 В), которые сохраняют содержимое при отсутствии питания за счет оригинальной структуры запоминающей ячейки;

NV-RAM (Non-Voltage RAM) — особый вид RAM, которая может сохранять свое содержимое при отсутствии питания либо за счет особенностей изготовления запоминающей ячейки, либо за счет наличия встроенной в микросхему или модуль литиевой батарейки;

OTP (Once programmed memory) — память, однократно программируемая потребителем;

EPROM (Electrically Programmable ROM) — электрически программируемая постоянная память;

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) — электрически стираемая и программируемая постоянная память;

SRAM (Static RAM) — статическая память с произвольным доступом;

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память с произвольным доступом;

TK-RAM (Timekeeping RAM) — память с произвольным доступом, в которой часть ячеек заменена на регистры, в которые автоматически выводятся данные от встроенных часов реального времени (RTC), календаря и т. п. Обычно выпускается либо со встроенной литиевой батарейкой, либо со входом для подключения внешней батарейки, либо с конструктивно совмещенным (в корпусе микросхемы) держателем для внешней батарейки;

RTC (Real Time Clock) — таймер реального времени;

Parallel (Access) Memory (RAM, Flash…) — память с параллельным доступом;

Serial (Access) Memory (RAM, Flash…) — память с последовательным доступом.